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Nitruro de indio-aluminio (InAlN)
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Nitruro de indio-aluminio (InAlN)

  • Editorial Editorial UNAL - Universidad Nacional de Colombia
    Universidad Nacional de Colombia
    • Autor: Luis Fernando Mulcue Nieto
    • Autor: Wilmer de Jesús Saldarriaga Agudelo
  • La aleación ternaria semiconductora de nitruro de indio y aluminio (InxAl1-xN) despierta cada vez mayor interés en la industria, debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos y fotovoltaicos. Debido a esto, en la última década han aumentado las investigaciones de este interesante material, especialmente para su empleo en futuras aplicaciones en celdas solares. En este libro presentamos las propiedades químicas, físicas, estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de este semiconductor. El principal aporte es usar diversas estrategias para obtenerlo a un costo menor respecto a los métodos epitaxiales usados en celdas solares multiunión con eficiencia récord mundial. Para esto se obtuvo el material tanto por magnetrón sputtering Radio Frequency como por sputter ing Direct Current; mediante el uso de un único blanco de InAl y a temperatura ambiente. Asimismo, se sintetizaron películas amorfas, policristalinas y altamente cristalinas, lo cual permite alto grado de versatilidad en la metodología propuesta.
  • Palabras claves:
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eBook

Digital (suministrado electrónicamente) - EPUB

Estado: Activo
ISBN-13: 9789585052161
Tipo de contenido del producto: Texto (legible a simple vista)
Tipo de restricción de uso en publicaciones digitales:
Permiso de uso en publicaciones digitales: No permitido
Idioma del texto: Español
Tamaño del archivo: 10 Megabytes (MB)
Número absoluto de páginas: 110 Páginas
Sello editorial: Sede Nivel Nacional
Tipo de edición: Nueva edición
Número de edición: 1
Ciudad de publicación: Bogotá
País de publicación: Colombia
Fecha de publicación: 2023-05-31

Tabla de materias / Tabla de contenido

Capítulo 1
Estado del arte
Propiedades ópticas de InAlN
Propiedades eléctricas del InAlN
Propiedades estructurales y morfológicas del InAlN
Condiciones de obtención de InAlN mediante técnicas epitaxiales
Condiciones de obtención de InAlN mediante magnetrón sputtering RF

Capítulo 2
Experimental
Técnica de magnetrón sputtering
Diseño experimental

Capítulo 3
Estudio de las propiedades del InAlN en función de la fracción molar de indio
Introducción
Metodología
Resultados y discusión
Conclusiones

Capítulo 4
Estudio de las propiedades del InAlN en función del espesor
Introducción
Metodología
Resultados y discusión
Conclusiones

Capítulo 5
Estudio de las propiedades del InAlN en función del tipo de sustrato
Introducción
Metodología
Resultados y discusión
Conclusiones

Capítulo 6
Construcción de un dispositivo de celda solar heterounión InAl-n/Si-p
Introducción
Condiciones de depósito
Caracterización química
Caracterización eléctrica
Diseño del contacto eléctrico posterior
Diseño del contacto eléctrico frontal
Construcción de la celda solar heterounión InAl-Si
Conclusión

Capítulo 7
Conclusiones y recomendaciones

Referencias
Índice temático

  • SCI013000 CIENCIA > Química > General (Principal)
  • 620 Tecnología (ciencias aplicadas) > Ingeniería y operaciones afines > Ingeniería y operaciones afines (Principal)
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